IXYA50N65C3

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IXYA50N65C3概述

Igbt 650V 130A 600W To263

IGBT PT 表面贴装型 TO-263


得捷:
IGBT 650V 130A 600W TO263


贸泽:
IGBT Transistors 650V/130A XPT C3-Class TO-263


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 132A 600000mW 3-Pin2+Tab TO-263AA


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 132A 600000mW 3-Pin2+Tab D2PAK


IXYA50N65C3中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 600 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

额定功率Max 600 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 600000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXYA50N65C3
型号: IXYA50N65C3
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Igbt 650V 130A 600W To263

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