IXGP2N100A参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGP2N100A概述

Trans IGBT Chip N-CH 1000V 4A 25000mW 3Pin3+Tab TO-220

IGBT - 1000 V 4 A 25 W 通孔 TO-220-3

得捷:
IGBT 1000V 4A 25W TO220AB

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 4A 3-Pin3+Tab TO-220

Chip1Stop:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 4A 3-Pin3+Tab TO-220

IXGP2N100A中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 25000 mW

击穿电压集电极-发射极 1000 V

额定功率Max 25 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 25000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

高度 9.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGP2N100A

型号： IXGP2N100A

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 1000V 4A 25000mW 3Pin3+Tab TO-220