IXGH56N60B3D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGH56N60B3D1概述

Igbt 600V 330W To247

IGBT PT 600 V 330 W 通孔 TO-247AD

得捷:
IGBT 600V 330W TO247

贸泽:
IGBT Modules Mid-Frequency Range 15khz-40khz w/ Diode

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 330000mW 3-Pin3+Tab TO-247AD

Win Source:
IGBT 600V 330W TO247

IXGH56N60B3D1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 100 ns

额定功率Max 330 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 330 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH56N60B3D1

型号： IXGH56N60B3D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 600V 330W To247