IXGH20N100参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGH20N100概述

IGBT 晶体管 40 Amps 1000V 3 Rds

IGBT PT 通孔 TO-247AD（IXGH）

得捷:
IGBT 1000V 40A 150W TO247

贸泽:
IGBT 晶体管 40 Amps 1000V 3 Rds

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1KV 40A 3-Pin3+Tab TO-247AD

IXGH20N100中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 150000 mW

击穿电压集电极-发射极 1000 V

额定功率Max 150 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 150000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.26 mm

宽度 5.3 mm

高度 21.46 mm

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH20N100

型号： IXGH20N100

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 晶体管 40 Amps 1000V 3 Rds