IXBT42N300HV参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXBT42N300HV概述

Igbt 3000V 42A 357W To268

IGBT - 3000 V 104 A 500 W 表面贴装型 TO-268

得捷:
IGBT 3000V 42A 357W TO268

贸泽:
IGBT Transistors

艾睿:
High Voltage, BiMOSFETTMMonolithic Bipolar MOSTransistor

IXBT42N300HV中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 500 W

击穿电压集电极-发射极 3000 V

反向恢复时间 1.7 µs

额定功率Max 500 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min 55 ℃

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXBT42N300HV

型号： IXBT42N300HV

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 3000V 42A 357W To268