IXBT42N170A

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IXBT42N170A概述

Trans IGBT Chip N-CH 1700V 42A 357000mW 3Pin2+Tab TO-268

Features

• High Blocking Voltage

• JEDEC TO-268 surface and JEDEC TO-247 AD

• Fast switching

• High current handling capability

• MOS Gate turn-on

   - drive simplicity

• Molding epoxies meet UL 94 V-0 flammability classification

Applications

• AC motor speed control

• Uninterruptible power supplies UPS

• Switched-mode and resonant-mode power supplies

• Substitutes for high voltage MOSFETs

Advantages

• Lower conduction losses than MOSFETs

• High power density

• Suitable for surface mounting

• Easy to mount with 1 screw, isolated mounting screw hole

IXBT42N170A中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 357000 mW

击穿电压集电极-发射极 1700 V

反向恢复时间 330 ns

额定功率Max 357 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 357000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 16.05 mm

宽度 14 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXBT42N170A
型号: IXBT42N170A
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1700V 42A 357000mW 3Pin2+Tab TO-268

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