IXGX72N60B3H1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGX72N60B3H1概述

Trans IGBT Chip N-CH 600V 178A 540000mW 3Pin3+Tab PLUS 247

IGBT PT 600 V 75 A 540 W 通孔

得捷:
IGBT 600V 75A 540W PLUS247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 178A 540000mW 3-Pin3+Tab PLUS 247

Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 178A 540000mW 3-Pin3+Tab PLUS 247

IXGX72N60B3H1中文资料参数规格

技术参数

耗散功率 540000 mW

击穿电压集电极-发射极 600 V

反向恢复时间 140 ns

额定功率Max 540 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 540000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXGX72N60B3H1

型号： IXGX72N60B3H1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Trans IGBT Chip N-CH 600V 178A 540000mW 3Pin3+Tab PLUS 247

替代型号IXGX72N60B3H1