Trans IGBT Chip N-CH 900V 47A 160000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247
IGBT PT 900 V 47 A 160 W 通孔 ISOPLUS247™
得捷: IGBT 900V 47A 160W ISOPLUS247
贸泽: IGBT Transistors 47 Amps 900V 2.9 V Rds
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 900V 47A 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
耗散功率 160000 mW
击穿电压集电极-发射极 900 V
反向恢复时间 190 ns
额定功率Max 160 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 160000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 ISOPLUS-247
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册