Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS 247
IGBT PT 600 V 56 A 125 W 通孔 ISOPLUS247™
得捷:
IGBT 600V 56A 125W ISOPLUS247
贸泽:
IGBT Transistors 48 Amps 600V
艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
TME:
Transistor: IGBT; 600V; 26A; 125W; ISOPLUS247™
Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 600V 56A 125000mW 3-Pin3+Tab ISOPLUS 247
额定功率 125 W
耗散功率 125000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
反向恢复时间 25 ns
额定功率Max 125 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 ISOPLUS-247
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.34 mm
封装 ISOPLUS-247
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IXGR48N60C3D1 IXYS Semiconductor | 当前型号 | 当前型号 |
IXGR48N60B3D1 IXYS Semiconductor | 类似代替 | IXGR48N60C3D1和IXGR48N60B3D1的区别 |
IXGR48N60B3 IXYS Semiconductor | 功能相似 | IXGR48N60C3D1和IXGR48N60B3的区别 |