IXGP42N30C3参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

IXGP42N30C3图片1

IXGP42N30C3概述

Igbt 42A 300V To-220ab

IGBT PT 300V 223W Through Hole TO-220AB

得捷:
IGBT 300V 223W TO220AB

IXGP42N30C3中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 300 V

额定功率Max 223 W

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGP42N30C3

型号： IXGP42N30C3

制造商： IXYS Semiconductor

描述：Igbt 42A 300V To-220ab