IXXN110N65C4H1

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IXXN110N65C4H1概述

Trans IGBT Chip N-CH 650V 210A 750000mW Automotive 4Pin SOT-227B

IGBT Module PT Single 650V 210A 750W Chassis Mount SOT-227B


得捷:
IGBT MOD 650V 210A 750W SOT227B


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 210A 750000mW Automotive 4-Pin SOT-227B


Verical:
Trans IGBT Chip N-CH 650V 200A 750000mW 4-Pin SOT-227B


IXXN110N65C4H1中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 750 W

击穿电压集电极-发射极 650 V

输入电容Cies 3.69nF @25V

额定功率Max 750 W

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 750000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 4

封装 SOT-227-4

外形尺寸

封装 SOT-227-4

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXXN110N65C4H1
型号: IXXN110N65C4H1
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 650V 210A 750000mW Automotive 4Pin SOT-227B

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