Trans IGBT Chip N-CH 2500V 5.5A 32000mW 3Pin2+Tab TO-268
IGBT - 表面贴装型 TO-268
得捷: IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 2.5KV 5.5A 3-Pin2+Tab TO-268
DeviceMart: IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268
耗散功率 32000 mW
击穿电压集电极-发射极 2500 V
额定功率Max 32 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 32000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-268-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
数据手册