IXGT2N250

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IXGT2N250概述

Trans IGBT Chip N-CH 2500V 5.5A 32000mW 3Pin2+Tab TO-268

IGBT - 表面贴装型 TO-268


得捷:
IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 2.5KV 5.5A 3-Pin2+Tab TO-268


DeviceMart:
IGBT 2500V 5.5A 32W TO-268


IXGT2N250中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 32000 mW

击穿电压集电极-发射极 2500 V

额定功率Max 32 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 32000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IXGT2N250
型号: IXGT2N250
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 2500V 5.5A 32000mW 3Pin2+Tab TO-268

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