IXGT20N120B

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IXGT20N120B中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 190000 mW

击穿电压集电极-发射极 1200 V

额定功率Max 190 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-268-3

外形尺寸

长度 16.05 mm

宽度 14 mm

高度 5.1 mm

封装 TO-268-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

包装方式 Bulk

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGT20N120B
型号: IXGT20N120B
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 1200V 40A 190000mW 3Pin2+Tab TO-268

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