IXGH40N120C3D1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IXGH40N120C3D1概述

IGBT 1200V 75A 380W TO247

IGBT PT 1200V 75A 380W Through Hole TO-247AD IXGH

得捷:
IGBT 1200V 75A 380W TO247

艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 1200V 75A 380000mW 3-Pin3+Tab TO-247

DeviceMart:
IGBT 1200V 75A 380W TO247

Win Source:
IGBT 1200V 75A 380W TO247

IXGH40N120C3D1中文资料参数规格

技术参数

击穿电压集电极-发射极 1200 V

反向恢复时间 100 ns

额定功率Max 380 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 380 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

封装 TO-247-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGH40N120C3D1

型号： IXGH40N120C3D1

制造商： IXYS Semiconductor

描述：IGBT 1200V 75A 380W TO247