IXGL75N250

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IXGL75N250概述

Trans IGBT Chip N-CH 2500V 110A 430000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS I5-PAK

IGBT - 通孔 ISOPLUSi5-Pak™


得捷:
IGBT 2500V 110A 430W I5-PAK


艾睿:
Trans IGBT Chip N-CH 2.5KV 110A 3-Pin3+Tab ISOPLUS I5-PAK


DeviceMart:
IGBT 2500V 110A 430W I5-PAK


IXGL75N250中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 430000 mW

击穿电压集电极-发射极 2500 V

额定功率Max 430 W

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 430000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 ISOPLUSi5-Pak

外形尺寸

高度 26.42 mm

封装 ISOPLUSi5-Pak

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IXGL75N250
型号: IXGL75N250
制造商: IXYS Semiconductor
描述:Trans IGBT Chip N-CH 2500V 110A 430000mW 3Pin3+Tab ISOPLUS I5-PAK

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