IDB06S60C

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IDB06S60C概述

第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode

Diode Silicon Carbide Schottky 600V Surface Mount D2PAK


得捷:
DIODE SIL CARB 600V 6A TO220-3


艾睿:
Diode Schottky 600V 6A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


儒卓力:
**SIC-Diode 600V 6A 1.70V TO263 **


罗切斯特:
Diode Schottky 600V 6A 3-Pin2+Tab D2PAK


IDB06S60C中文资料参数规格
技术参数

正向电压 1.7V @6A

热阻 2.9℃/W RθJC

反向恢复时间 0 ns

正向电流Max 6 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 520000 mW

封装参数

安装方式 Surface Mount

引脚数 3

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IDB06S60C
型号: IDB06S60C
描述:第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode
替代型号IDB06S60C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IDB06S60C

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

SDB06S60

英飞凌

完全替代

IDB06S60C和SDB06S60的区别

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