Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 300000mW 3Pin2+Tab TO-263AA
IGBT PT 600 V 300 W 表面贴装型 TO-263AA
得捷: IGBT 600V 300W TO263AA
艾睿: Trans IGBT Chip N-CH 600V 48A 3-Pin2+Tab TO-263AA
耗散功率 300000 mW
击穿电压集电极-发射极 600 V
额定功率Max 300 W
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
数据手册