IDH06S60C

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IDH06S60C中文资料参数规格
技术参数

额定功率 63 W

负载电流 6 A

正向电压 1.7V @6A

热阻 2.4℃/W RθJC

反向恢复时间 0 ns

正向电压Max 1.7V @6A

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 2

封装 TO-220-2

外形尺寸

封装 TO-220-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IDH06S60C
型号: IDH06S60C
制造商: Infineon 英飞凌
描述:第二代的thinQ SiC肖特基二极管 2nd Generation thinQ SiC Schottky Diode
替代型号IDH06S60C
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IDH06S60C

Infineon 英飞凌

当前型号

当前型号

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