IDD04S60C

thinQ!™ 碳化硅 SiC 肖特基二极管，InfineonInfineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。 Infineon thinQ!™ 肖特基二极管具有 600V、650V 和 1200V 电压选择。 Infineon 1200V 碳化硅二极管高效，且在 1200 V 操作时无损耗。 碳化硅肖特基二极管碳化硅设备提供各种用于高电压功率半导体的功能，如更高的击穿电场强度和导热性，可提供更高效率水平。 此代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电动机驱动器、太阳能反相器及 PC Silverbox 和照明应用。 降低的 EMI ### 二极管和整流器，Infineon

thinQ! 碳化硅 SiC 肖特基，

Infineon thinQ!™ 第 5 代提供全新薄芯片技术，用于碳化硅肖特基势垒二极管，可提高耐热性。碳化硅肖特基二极管设备在提供高压功率半导体特性方面极具优势，如提高击穿电场强度和增强导热性，从而提高效率。最新一代产品适用于电信 SMPS 和高端服务器、UPS 系统、电机驱动器、太阳能逆变器以及 PC Silverbox 和照明应用。

降低的 EMI

### 二极管和整流器，Infineon

欧时:
Infineon 二极管 IDD04S60C 肖特基, Io=4A, Vrev=600V, 3引脚 TO-252封装

贸泽:
Schottky Diodes & Rectifiers 2ND GEN THINQ 600V SiC Schottky Diode

艾睿:
Diode Schottky 600V 4A 3-Pin2+Tab DPAK T/R

Chip1Stop:
Diode Schottky 600V 4A 3-Pin2+Tab TO-252

TME:
Diode: Schottky rectifying; SiC; SMD; 600V; 4A; 42W; PG-TO252-3