Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB038N12N3GATMA1, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB038N12N3GATMA1, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 D2PAK TO-263封装
得捷:
MOSFET N-CH 120V 120A D2PAK
立创商城:
N沟道 120V 120A
e络盟:
晶体管, MOSFET, N沟道, 120 A, 120 V, 0.0032 ohm, 10 V, 3 V
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 120V 120A 3-Pin2+Tab TO-263
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO263-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin2+Tab D2PAK T/R
Newark:
# INFINEON IPB038N12N3GATMA1 MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 120 V, 0.0032 ohm, 10 V, 3 V
额定功率 300 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0032 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 120 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 52 ns
输入电容Ciss 10400pF @60VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-263-3
长度 10.31 mm
宽度 9.45 mm
高度 4.57 mm
封装 TO-263-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 发光二极管照明, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, |Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, LED Lighting, 便携式器材, 电源管理, Computers & Computer Peripherals, Power Management, Motor Drive & Control, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 电机驱动与控制, Portable Devices, 计算机和计算机周边
RoHS标准
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB038N12N3GATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
FDB047N10 飞兆/仙童 | 功能相似 | IPB038N12N3GATMA1和FDB047N10的区别 |
FDB86135 飞兆/仙童 | 功能相似 | IPB038N12N3GATMA1和FDB86135的区别 |