IPT004N03L概述
30V,300A,0.4mOhm,N沟道功率MOSFET
Summary of Features:
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- Industry‘s lowest R DSon
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- Highest current capability up to 300A
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- Very low package parasitics and inductances
Benefits:
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- Less paralleling and cooling required
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- Highest system reliability
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- System cost reduction
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- Enabling very compact design
IPT004N03L中文资料参数规格
技术参数
漏源极电阻 0.4 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 300 W
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 300A
上升时间 17 ns
输入电容Ciss 18000pF @15VVds
下降时间 37 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 3800 mW
封装参数
引脚数 9
封装 PG-HSOF-8
外形尺寸
长度 10.58 mm
宽度 10.1 mm
高度 2.4 mm
封装 PG-HSOF-8
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Telecom, Point-of-load POL
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
海关信息
ECCN代码 EAR99
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