INFINEON IPD068P03L3GBTMA1 晶体管, MOSFET, P沟道, -70 A, -30 V, 0.005 ohm, -10 V, -1.5 V 新
表面贴装型 P 通道 30 V 70A（Tc） 100W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET P-CH 30V 70A TO252-3
贸泽:
MOSFET P-Ch -30V -70A DPAK-2 OptiMOS P3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, P沟道, 30 V, 70 A, 0.005 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET P-CH 30V 70A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK T/R
TME:
Transistor: P-MOSFET; unipolar; -30V; -70A; 100W; PG-TO252-3
Newark:
# INFINEON IPD068P03L3GBTMA1 MOSFET, P-CH, -30V, -70A, TO-252-3 New
额定功率 100 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.005 Ω
极性 P-Channel
耗散功率 100 W
阈值电压 1.5 V
漏源极电压Vds 30 V
连续漏极电流Ids 70A
上升时间 100 ns
输入电容Ciss 7720pF @15VVds
下降时间 31 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 100W Tc
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Onboard charger
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD068P03L3GBTMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD068P03L3GATMA1 英飞凌 | 完全替代 | IPD068P03L3GBTMA1和IPD068P03L3GATMA1的区别 |
IPD042P03L3GATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD068P03L3GBTMA1和IPD042P03L3GATMA1的区别 |
IPD053N08N3GATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD068P03L3GBTMA1和IPD053N08N3GATMA1的区别 |