INFINEON IPD180N10N3GBTMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 43 A, 100 V, 0.0147 ohm, 10 V, 2.7 V 新
IPD180N10N3 G, SP000482438
得捷:
MOSFET N-CH 100V 43A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 43A DPAK-2 OptiMOS 3
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 100 V, 43 A, 0.0147 ohm, TO-252 DPAK, 表面安装
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
富昌:
IPD180N10N3 系列 100 V 18 mOhm N沟道 OptiMOSTM3 功率-晶体管 -PG-TO-252-3
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin2+Tab TO-252
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 43A; 71W; PG-TO252-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 43A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
Newark:
# INFINEON IPD180N10N3GBTMA1 MOSFET, N-CH, 100V, 43A, TO-252-3 New
额定功率 71 W
通道数 1
针脚数 3
漏源极电阻 0.0147 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 71 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
连续漏极电流Ids 43A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 1350pF @50VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 71000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Uninterruptable power supplies UPS, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems, Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
REACH SVHC版本 2015/12/17