IPA65R110CFD

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IPA65R110CFD概述

TO-220FP N-CH 700V 31.2A

Summary of Features:

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650V technology with integrated fast body diode
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Limited voltage overshoot during hard commutation
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Significant Q g reduction compared to 600V CFD technology
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Tighter R DSON max to R DSon typ window
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Easy to design-in
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Lower price compared to 600V CFD technology

Benefits:

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Low switching losses due to low Q rr at repetitive commutation on body diode
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Self limiting di/dt and dv/dt
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Low Q oss
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Reduced turn on and turn of delay times
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Outstanding CoolMOS™ quality

Target Applications:

  

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Telecom
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Server
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Solar
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HID lamp ballast
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LED lighting
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eMobility
IPA65R110CFD中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 110 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 34.7 W

漏源极电压Vds 700 V

漏源击穿电压 700 V

连续漏极电流Ids 31.2A

上升时间 11 ns

输入电容Ciss 3240pF @100VVds

额定功率Max 34.7 W

下降时间 6 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 34.7W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃ TJ

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

海关信息

ECCN代码 EAR99

数据手册

在线购买IPA65R110CFD
型号: IPA65R110CFD
描述:TO-220FP N-CH 700V 31.2A

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