IPB054N06N3G参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPB054N06N3G概述

的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-Transistor

N-Channel 60 V 80A Tc 115W Tc Surface Mount PG-TO263-3-2

得捷:
IPB054N06 - 12V-300V N-CHANNEL P

立创商城:
IPB054N06N3G

力源芯城:
60V,80A,N沟道功率MOSFET

IPB054N06N3G中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 115 W

漏源极电压Vds 60 V

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263

外形尺寸

封装 TO-263

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB054N06N3G

型号： IPB054N06N3G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：的OptiMOS ™ 3功率三极管 OptiMOS?3 Power-Transistor

替代型号IPB054N06N3G