INFINEON IPB025N10N3GATMA1 晶体管, MOSFET, N沟道, 180 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.7 V
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPB025N10N3GATMA1, 180 A, Vds=100 V, 7引脚 D2PAK TO-263封装
得捷:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7
立创商城:
N沟道 100V 180A
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 180A D2PAK-6 OptiMOS 3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
安富利:
MV POWER MOS
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 100V; 180A; 300W; PG-TO263-7
Verical:
Trans MOSFET N-CH 100V 180A Automotive 7-Pin6+Tab D2PAK T/R
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 180 A, 100 V, 0.002 ohm, 10 V, 2.7 V
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 180A TO263-7 / N-Channel 100 V 180A Tc 300W Tc Surface Mount PG-TO263-7
额定功率 300 W
针脚数 7
漏源极电阻 0.002 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 2.7 V
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 180A
上升时间 58 ns
输入电容Ciss 11100pF @50VVds
下降时间 28 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 7
封装 TO-263-7
长度 10 mm
宽度 9.25 mm
高度 4.4 mm
封装 TO-263-7
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 工业, Power Management, Motor Drive & Control, Industrial, , Industrial, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, 电源管理, Power Management, 电机驱动与控制, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, 音频
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPB025N10N3GATMA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPB180N10S402ATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPB025N10N3GATMA1和IPB180N10S402ATMA1的区别 |
IPB017N10N5LFATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPB025N10N3GATMA1和IPB017N10N5LFATMA1的区别 |
IRLS4030TRLPBF 英飞凌 | 功能相似 | IPB025N10N3GATMA1和IRLS4030TRLPBF的区别 |