IPU50R950CE

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IPU50R950CE概述

500V,950mΩ,6.6A,N沟道功率MOSFET

CoolMOS™ CE 功率 MOSFET


得捷:
N-CHANNEL POWER MOSFET


立创商城:
N沟道 500V 6.6A


欧时:
Infineon CoolMOS CE 系列 N沟道 MOSFET 晶体管 IPU50R950CE, 4.3 A, Vds=550 V, 3引脚 TO-251封装


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin3+Tab TO-251 Tube


安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 4.3A 3-Pin TO-251 Tube


Verical:
Trans MOSFET N-CH 500V 4.3A 3-Pin3+Tab TO-251


力源芯城:
500V,950mΩ,6.6A,N沟道功率MOSFET


IPU50R950CE中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 34W Tc

漏源极电压Vds 500 V

连续漏极电流Ids 4.3A

上升时间 4.9 ns

输入电容Ciss 231pF @100VVds

额定功率Max 34 W

下降时间 19.5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 34W Tc

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-251-3

外形尺寸

长度 6.73 mm

宽度 6.22 mm

高度 2.41 mm

封装 TO-251-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 150℃

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPU50R950CE
型号: IPU50R950CE
制造商: Infineon 英飞凌
描述:500V,950mΩ,6.6A,N沟道功率MOSFET
替代型号IPU50R950CE
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPU50R950CE

Infineon 英飞凌

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英飞凌

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