IPD50R800CEBTMA1概述
DPAK N-CH 550V 5A
N-Channel 500V 5A Tc 40W Tc Surface Mount PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N CH 500V 5A TO252
贸泽:
MOSFET N-Ch 500V 5A DPAK-2
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin2+Tab DPAK T/R
安富利:
Trans MOSFET N-CH 550V 5A 3-Pin DPAK T/R
IPD50R800CEBTMA1中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 60 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 550 V
连续漏极电流Ids 5A
上升时间 5.5 ns
下降时间 15.9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
封装参数
安装方式 Surface Mount
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 150℃
其他
产品生命周期 Discontinued at Digi-Key
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPD50R800CEBTMA1