IPP70N04S3-07

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IPP70N04S3-07中文资料参数规格
技术参数

通道数 1

漏源极电阻 7.1 mΩ

极性 N-CH

耗散功率 79 W

漏源极电压Vds 40 V

漏源击穿电压 40 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 8 ns

输入电容Ciss 2700pF @25VVds

额定功率Max 79 W

下降时间 7 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min 55 ℃

耗散功率Max 79000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPP70N04S3-07
型号: IPP70N04S3-07
制造商: Infineon 英飞凌
描述:的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor

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