IPD110N12N3GBUMA1

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IPD110N12N3GBUMA1概述

DPAK N-CH 120V 75A

表面贴装型 N 通道 75A(Tc) 136W(Tc) PG-TO252-3


得捷:
MOSFET N-CH 120V 75A TO252-3


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 75A 3-Pin2+Tab DPAK T/R


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 75A; 136W; PG-TO252-3


IPD110N12N3GBUMA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 136 W

极性 N-CH

耗散功率 136W Tc

漏源极电压Vds 120 V

连续漏极电流Ids 75A

输入电容Ciss 4310pF @60VVds

耗散功率Max 136W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD110N12N3GBUMA1
型号: IPD110N12N3GBUMA1
描述:DPAK N-CH 120V 75A
替代型号IPD110N12N3GBUMA1
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