IPW60R070C6FKSA1

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IPW60R070C6FKSA1概述

单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET


欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R070C6FKSA1, 53 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装


得捷:
MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3


贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3


Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube


IPW60R070C6FKSA1中文资料参数规格
技术参数

额定功率 391 W

通道数 1

漏源极电阻 63 mΩ

极性 N-Channel

耗散功率 391 W

阈值电压 2.5 V

漏源极电压Vds 600 V

漏源击穿电压 600 V

连续漏极电流Ids 53A

上升时间 12 ns

输入电容Ciss 3800pF @100VVds

下降时间 5 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 391000 mW

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-247-3

外形尺寸

长度 16.13 mm

宽度 5.21 mm

高度 21.1 mm

封装 TO-247-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IPW60R070C6FKSA1
型号: IPW60R070C6FKSA1
描述:单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3

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