单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R070C6FKSA1, 53 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 53A TO247-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 53A TO247-3 CoolMOS C6
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 53A; 391W; PG-TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 53A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
额定功率 391 W
通道数 1
漏源极电阻 63 mΩ
极性 N-Channel
耗散功率 391 W
阈值电压 2.5 V
漏源极电压Vds 600 V
漏源击穿电压 600 V
连续漏极电流Ids 53A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 3800pF @100VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 391000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.13 mm
宽度 5.21 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC