IPA60R190C6XKSA1概述
单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPA60R190C6XKSA1, 20.2 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220FP封装
得捷:
MOSFET N-CH 600V 20.2A TO220-FP
立创商城:
N沟道 600V 20.2A
贸泽:
MOSFET N-Ch 600V 20.2A TO220FP-3 CoolMOS C6
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 20.2A; 34W; TO220FP
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 20.2A 3-Pin3+Tab TO-220FP Tube
IPA60R190C6XKSA1中文资料参数规格
技术参数
额定功率 34 W
极性 N-Channel
耗散功率 34 W
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 20.2A
上升时间 11 ns
输入电容Ciss 1400pF @100VVds
下降时间 9 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 151 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-220-3
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
在线购买IPA60R190C6XKSA1