IRFSL38N20DPBF

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IRFSL38N20DPBF概述

MOSFET, 200V, 44A, 54MOHM, 60NC QG, TO-262

Applications

• High frequency DC-DC converters

• Plasma Display Panel

• Lead-Free

Benefits

• Low Gate-to-Drain Charge to Reduce Switching Losses

• Fully Characterized Capacitance Including Effective COSS to Simplify Design, See App. Note AN1001

• Fully Characterized Avalanche Voltage and Current


Allied Electronics:
MOSFET, 200V, 44A, 54 MOHM, 60 NC QG, TO-262


TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; HEXFET; 200V; 44A; 320W; TO262


IRFSL38N20DPBF中文资料参数规格
技术参数

额定功率 320 W

漏源极电阻 0.054 Ω

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

产品系列 IRFSL38N20D

输入电容 2900pF @25V

漏源极电压Vds 200 V

连续漏极电流Ids 44.0 A

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262

外形尺寸

长度 10.67 mm

高度 9.65 mm

封装 TO-262

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

产品生命周期 Active

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

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型号: IRFSL38N20DPBF
制造商: International Rectifier 国际整流器
描述:MOSFET, 200V, 44A, 54MOHM, 60NC QG, TO-262

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