IPI80N06S3L-05概述
的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor
N-Channel 55V 80A Tc 165W Tc Through Hole PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO262-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 55V 80A I2PAK-3
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin3+Tab TO-262
IPI80N06S3L-05中文资料参数规格
技术参数
额定电压DC 55.0 V
额定电流 80.0 A
通道数 1
漏源极电阻 4.8 mΩ
极性 N-CH
耗散功率 165 W
输入电容 9.42 nF
栅电荷 196 nC
漏源极电压Vds 55 V
漏源击穿电压 55 V
连续漏极电流Ids 80.0 A
上升时间 49 ns
输入电容Ciss 13060pF @25VVds
额定功率Max 165 W
下降时间 41 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 165W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPI80N06S3L-05