的OptiMOS -T2功率三极管 OptiMOS-T2 Power-Transistor
Summary of Features:
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- N-channel - Enhancement mode
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- AEC Q101 qualified
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- MSL1 up to 260°C peak reflow
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- 175°C operating temperature
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- Green Product RoHS compliant
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- 100% Avalanche tested
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- Ultra low RDSon
Benefits:
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- world"s lowest RDS at 60V on
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- highest current capability
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- lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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- robust packages with superior quality and reliability
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- Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
通道数 1
极性 N-CH
耗散功率 71 W
阈值电压 1.2 V
漏源极电压Vds 60 V
连续漏极电流Ids 50A
上升时间 2 ns
输入电容Ciss 4780pF @25VVds
额定功率Max 71 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 71000 mW
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 Solenoids control, Valves control, Lighting, Single-ended motors
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD50N06S4L-08 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPD90N06S4L-06 英飞凌 | 类似代替 | IPD50N06S4L-08和IPD90N06S4L-06的区别 |
IPD50N06S4L-12 英飞凌 | 类似代替 | IPD50N06S4L-08和IPD50N06S4L-12的区别 |
IPD30N06S4L-23 英飞凌 | 类似代替 | IPD50N06S4L-08和IPD30N06S4L-23的区别 |