IPB26CN10NGATMA1

IPB26CN10NGATMA1图片1
IPB26CN10NGATMA1图片2
IPB26CN10NGATMA1图片3
IPB26CN10NGATMA1概述

D2PAK N-CH 100V 35A

表面贴装型 N 通道 35A(Tc) 71W(Tc) D²PAK(TO-263AB)


得捷:
MOSFET N-CH 100V 35A D2PAK


艾睿:
Trans MOSFET N-CH 100V 35A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R


IPB26CN10NGATMA1中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 71W Tc

漏源极电压Vds 100 V

连续漏极电流Ids 35A

输入电容Ciss 2070pF @50VVds

耗散功率Max 71W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-3

外形尺寸

封装 TO-263-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB26CN10NGATMA1
型号: IPB26CN10NGATMA1
描述:D2PAK N-CH 100V 35A

锐单商城 - 一站式电子元器件采购平台