IPD80N06S3-09概述
的OptiMOS -T电源晶体管 OptiMOS-T Power-Transistor
表面贴装型 N 通道 80A（Tc） 107W（Tc） PG-TO252-3
得捷:
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 55V 80A DPAK-2
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 55V 80A Automotive 3-Pin2+Tab DPAK
Win Source:
MOSFET N-CH 55V 80A TO252-3
IPD80N06S3-09中文资料参数规格
技术参数
极性 N-CH
耗散功率 107 W
漏源极电压Vds 55 V
连续漏极电流Ids 80A
上升时间 42 ns
输入电容Ciss 6100pF @25VVds
额定功率Max 107 W
下降时间 37 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 107W Tc
封装参数
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
外形尺寸
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tape & Reel TR
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPD80N06S3-09