IPI126N10N3 G概述
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
通孔 N 通道 58A（Tc） 94W（Tc） PG-TO262-3
得捷:
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
贸泽:
MOSFET N-Ch 100V 58A I2PAK-3 OptiMOS 3
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
Win Source:
MOSFET N-CH 100V 58A TO262-3
IPI126N10N3 G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
漏源极电阻 12.3 mΩ
耗散功率 94 W
漏源极电压Vds 100 V
漏源击穿电压 100 V
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 2500pF @50VVds
额定功率Max 94 W
下降时间 5 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min 55 ℃
耗散功率Max 94W Tc
封装参数
安装方式 Through Hole
封装 TO-262-3
外形尺寸
长度 10.2 mm
宽度 4.5 mm
高度 9.45 mm
封装 TO-262-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ
其他
产品生命周期 Obsolete
包装方式 Tube
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
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