IPI65R420CFD参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPI65R420CFD概述

Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

CoolMOS™ CFD 功率 MOSFET

### MOSFET ，Infineon

Infineon 提供庞大且全面的 MOSFET 设备组合，其中包括 CoolMOS、OptiMOS 和 StrongIRFET 系列。它们提供同类最佳性能，实现更高效率、功率密度和成本效益。需要高质量和增强型保护功能的设计获益于符合 AEC-Q101 汽车工业标准的 MOSFET。

立创商城:
N沟道 650V 8.7A

DeviceMart:
MOSFET N-CH 650V 8.7A TO262

IPI65R420CFD中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 650 V

连续漏极电流Ids 8.7A

上升时间 7 ns

输入电容Ciss 870pF @100VVds

额定功率Max 83.3 W

下降时间 8 ns

工作温度Max 150 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 83.3 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-262-3

外形尺寸

长度 10.36 mm

宽度 4.57 mm

高度 9.45 mm

封装 TO-262-3

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPI65R420CFD

型号： IPI65R420CFD

制造商： Infineon 英飞凌

描述：Infineon CoolMOS™CE/CFD 功率 MOSFET ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

替代型号IPI65R420CFD