IPB025N08N3G参数规格_中文资料_数据手册PDF_引脚图-锐单商城

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IPB025N08N3G中文资料参数规格

技术参数

极性 N-Channel

耗散功率 300 W

上升时间 73 ns

输入电容Ciss 10700pF @40VVds

下降时间 33 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 300000 mW

封装参数

引脚数 3

封装 TO-263-2

外形尺寸

封装 TO-263-2

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准

含铅标准 Lead Free

REACH SVHC标准 No SVHC

数据手册

在线购买IPB025N08N3G

型号： IPB025N08N3G

制造商： Infineon 英飞凌

描述：OptiMOS3功率三极管 OptiMOS3 Power-transistor

替代型号IPB025N08N3G

型号/品牌

代替类型

替代型号对比

IPB025N08N3G

Infineon 英飞凌

当前型号

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IPB025N08N3GATMA1

英飞凌

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IPB025N08N3G和IPB025N08N3GATMA1的区别