IPP114N12N3 G概述
Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
Summary of Features:
- .
- Excellent switching performance
- .
- World’s lowest R DSon
- .
- Very low Q g and Q gd
- .
- Excellent gate charge x R DSon product FOM
- .
- RoHS compliant-halogen free
- .
- MSL1 rated 2
Benefits:
- .
- Environmentally friendly
- .
- Increased efficiency
- .
- Highest power density
- .
- Less paralleling required
- .
- Smallest board-space consumption
- .
- Easy-to-design products
IPP114N12N3 G中文资料参数规格
技术参数
通道数 1
极性 N-Channel
耗散功率 136 W
漏源极电压Vds 100 V
上升时间 36 nS
输入电容Ciss 3240pF @60VVds
额定功率Max 136 W
下降时间 7 nS
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 136 W
封装参数
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
外形尺寸
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
物理参数
工作温度 -55℃ ~ 175℃
其他
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Class D audio amplifiers, Or-ing switches and circuit breakers in 48V systems, Synchronous rectification for AC-DC SMPS, Isolated DC-DC converters telecom and datacom systems
符合标准
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
在线购买IPP114N12N3 G
型号： IPP114N12N3 G
制造商：
Infineon
英飞凌
描述：Infineon OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上 ### MOSFET 晶体管，Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能