Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R199CPFKSA1, 16 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
CoolMOS™CP 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 16A TO247-3
欧时:
Infineon CoolMOS CP 系列 Si N沟道 MOSFET IPW60R199CPFKSA1, 16 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-247封装
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 16 A, 0.18 ohm, TO-247, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 16A; 139W; PG-TO247-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 650V 16A 3-Pin3+Tab TO-247 Tube
额定电压DC 600 V
额定电流 16.0 A
额定功率 139 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.18 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 139 W
阈值电压 3 V
输入电容 1.52 nF
栅电荷 43.0 nC
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 16.0 A
上升时间 5 ns
输入电容Ciss 1520pF @100VVds
下降时间 5 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 139 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-247-3
长度 16.03 mm
宽度 5.16 mm
高度 21.1 mm
封装 TO-247-3
产品生命周期 Not Recommended for New Designs
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC