单 P沟道 -12 V 1.3 W 10 nC 功率Mosfet 表面贴装 - MICRO-3
OptiMOS™3 功率 MOSFET，100V 及以上
欧时:
Infineon OptiMOS 3 系列 Si N沟道 MOSFET IPP041N12N3GXKSA1, 120 A, Vds=120 V, 3引脚 TO-220封装
得捷:
MOSFET N-CH 120V 120A TO220-3
立创商城:
N沟道 120V 120A
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Chip1Stop:
Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 120V; 120A; 300W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 120V 120A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
Newark:
MOSFET Transistor, N Channel, 120 A, 120 V, 0.0035 ohm, 10 V, 3 V
额定功率 300 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.0035 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 300 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 120 V
连续漏极电流Ids 120A
上升时间 52 ns
输入电容Ciss 10400pF @25VVds
下降时间 21 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 300 W
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10.36 mm
宽度 4.57 mm
高度 15.95 mm
封装 TO-220-3
产品生命周期 Active
包装方式 Tube
制造应用 Power Management, Motor Drive & Control, Computers & Computer Peripherals, Portable De, Computers & Computer Peripherals, Power Management, 电源管理, 电机驱, 便携式器材
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
REACH SVHC标准 No SVHC
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPP041N12N3GXKSA1 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IRFB4110PBF 英飞凌 | 类似代替 | IPP041N12N3GXKSA1和IRFB4110PBF的区别 |
FDP047N10 飞兆/仙童 | 功能相似 | IPP041N12N3GXKSA1和FDP047N10的区别 |