IPD50N06S2-14

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IPD50N06S2-14概述

的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor

Summary of Features:

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• N-channel - Enhancement mode
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• Automotive AEC Q101 qualified
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• MSL1 up to 260°C peak reflow
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• 175°C operating temperature
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• Green package lead free
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• Ultra low Rdson
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• 100% Avalanche tested

Benefits:

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world"s lowest RDS at 55V on  in planar technology
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highest current capability
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lowest switching and conduction power losses for highest thermal efficiency
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robust packages with superior quality and reliability
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Optimized total gate charge enables smaller driver output stages
IPD50N06S2-14中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 50A

输入电容Ciss 1485pF @25VVds

额定功率Max 136 W

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-252-3

外形尺寸

封装 TO-252-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tape & Reel TR

制造应用 Lighting, Valves control, Solenoids control, Single-ended motors

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPD50N06S2-14
型号: IPD50N06S2-14
描述:的OptiMOS功率三极管 OptiMOS Power-Transistor
替代型号IPD50N06S2-14
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPD50N06S2-14

Infineon 英飞凌

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IPD50N06S214ATMA1

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完全替代

IPD50N06S2-14和IPD50N06S214ATMA1的区别

SPD50N06S2-14

英飞凌

功能相似

IPD50N06S2-14和SPD50N06S2-14的区别

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