IPB050N06NGATMA1参数规格_中文资料_数据手册PDF

IPB050N06NGATMA1概述

D2PAK N-CH 60V 100A

表面贴装型 N 通道 100A（Tc） 300W（Tc） D²PAK（TO-263AB）

得捷:
MOSFET N-CH 60V 100A D2PAK

艾睿:
Trans MOSFET N-CH 60V 100A 3-Pin2+Tab D2PAK T/R

Win Source:
MOSFET N-CH 60V 100A TO-263

IPB050N06NGATMA1中文资料参数规格

技术参数

极性 N-CH

耗散功率 300W Tc

漏源极电压Vds 60 V

连续漏极电流Ids 100A

输入电容Ciss 6100pF @30VVds

耗散功率Max 300W Tc

封装参数

安装方式 Surface Mount

封装 TO-263-2

外形尺寸

封装 TO-263-2

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃ TJ

其他

产品生命周期 Obsolete

包装方式 Tape & Reel TR

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPB050N06NGATMA1

型号： IPB050N06NGATMA1

描述：D2PAK N-CH 60V 100A

替代型号IPB050N06NGATMA1