IPA100N08N3 G

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IPA100N08N3 G中文资料参数规格
技术参数

耗散功率 35 W

漏源极电压Vds 80 V

上升时间 30 ns

输入电容Ciss 2410pF @40VVds

额定功率Max 35 W

下降时间 5 ns

封装参数

安装方式 Through Hole

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10.65 mm

宽度 4.85 mm

高度 16.15 mm

封装 TO-220-3

物理参数

工作温度 -55℃ ~ 175℃

其他

包装方式 Tube

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPA100N08N3 G
型号: IPA100N08N3 G
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Trans MOSFET N-CH 80V 40A 3Pin3+Tab TO-220FP

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