Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R125C6XKSA1, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
CoolMOS™C6/C7 功率 MOSFET
得捷:
MOSFET N-CH 600V 30A TO220-3
欧时:
Infineon CoolMOS C6 系列 Si N沟道 MOSFET IPP60R125C6XKSA1, 30 A, Vds=650 V, 3引脚 TO-220封装
贸泽:
MOSFET HIGH POWER_LEGACY
e络盟:
功率场效应管, MOSFET, N沟道, 600 V, 30 A, 0.11 ohm, TO-220, 通孔
艾睿:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
TME:
Transistor: N-MOSFET; unipolar; 600V; 30A; 219W; PG-TO220-3
Verical:
Trans MOSFET N-CH 600V 30A Automotive 3-Pin3+Tab TO-220 Tube
额定功率 219 W
针脚数 3
漏源极电阻 0.11 Ω
极性 N-Channel
耗散功率 219 W
阈值电压 3 V
漏源极电压Vds 600 V
连续漏极电流Ids 30A
上升时间 12 ns
输入电容Ciss 2127pF @100VVds
下降时间 7 ns
工作温度Max 150 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 219000 mW
安装方式 Through Hole
引脚数 3
封装 TO-220-3
长度 10 mm
宽度 4.4 mm
高度 15.65 mm
封装 TO-220-3
产品生命周期 Not Recommended
包装方式 Tube
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free