IPP80N06S2L-09

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IPP80N06S2L-09概述

Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列 OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rdson MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能

OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列

OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。

N 通道 - 增强模式

符合汽车 AEC Q101 规格

MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接

175°C 工作温度

绿色封装(无铅)

超低 Rdson


欧时:
Infineon N沟道 MOSFET 晶体管 IPP80N06S2L-09, 80 A, Vds=55 V, 3引脚 TO-220封装


贸泽:
MOSFET N-Ch 55V 80A TO220-3 OptiMOS


AMEYA360:
MOSFET N-CH 55V 80A TO220-3


IPP80N06S2L-09中文资料参数规格
技术参数

极性 N-CH

耗散功率 190 W

漏源极电压Vds 55 V

连续漏极电流Ids 80A

上升时间 19 ns

输入电容Ciss 2620pF @25VVds

额定功率Max 190 W

下降时间 18 ns

工作温度Max 175 ℃

工作温度Min -55 ℃

耗散功率Max 190 W

封装参数

安装方式 Through Hole

引脚数 3

封装 TO-220-3

外形尺寸

长度 10 mm

宽度 4.4 mm

高度 15.65 mm

封装 TO-220-3

其他

产品生命周期 Active

包装方式 Tube

制造应用 Solenoids control, Single-ended motors, Valves control, Lighting

符合标准

RoHS标准 RoHS Compliant

含铅标准 Lead Free

数据手册

在线购买IPP80N06S2L-09
型号: IPP80N06S2L-09
制造商: Infineon 英飞凌
描述:Infineon OptiMOS™ 功率 MOSFET 系列 OptiMOS™ 产品提供高性能封装,可处理最具挑战性的应用,在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色封装(无铅) 超低 Rdson MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
替代型号IPP80N06S2L-09
型号/品牌 代替类型 替代型号对比

IPP80N06S2L-09

Infineon 英飞凌

当前型号

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