Infineon OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET **Infineon 增强型模式 雪崩等级 低切换和传导功率损耗 无铅引线电镀;符合 RoHS 标准 标准封装 OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C MOSFET 晶体管,Infineon Infineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
OptiMOS™P P 通道功率 MOSFET
**Infineon** **OptiMOS**™ P 通道电源 MOSFET 设计用于提供增强功能,以便达到质量指标。 特征包括超低切换损耗、通态电阻、雪崩额定值以及达到汽车解决方案的 AEC 标准。 应用包括:直流-直流、电动机控制、汽车和 eMobility。
增强型模式
雪崩等级
低切换和传导功率损耗
无铅引线电镀;符合 RoHS 标准
标准封装
OptiMOS™ P 通道系列:温度范围为 -55°C 至 +175°C
AMEYA360:
IPP80P04P4L-04 , P沟道 MOSFET 模块, 80 A, Vds=-40 V, 3针 TO-220封装
型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
---|---|---|
IPP80P04P4L-04 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPI80P04P4L-04 英飞凌 | 完全替代 | IPP80P04P4L-04和IPI80P04P4L-04的区别 |
IPI80P04P4-07 英飞凌 | 功能相似 | IPP80P04P4L-04和IPI80P04P4-07的区别 |
IPP70P04P4L-08 英飞凌 | 功能相似 | IPP80P04P4L-04和IPP70P04P4L-08的区别 |