Infineon OptiMOS™T 功率 MOSFETOptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。 N 通道 - 增强模式 符合汽车 AEC Q101 规格 MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接 175°C 工作温度 绿色产品（符合 RoHS 标准） ### MOSFET 晶体管，InfineonInfineon 庞大且全面的 MOSFET 设备组合包括 OptiMOS™ 与 CoolMOS™ 系列。 这些产品提供最新一代最先进功率 MOSFET 中的顶级性能
OptiMOS™T 功率 MOSFET
OptiMOS™ 产品提供高性能封装，可处理最具挑战性的应用，在有限空间提供全部灵活性。 这些 Infineon 产品经的设计符合并超过计算机应用中更严格的下一代电压调节标准的能效和功率密度要求。
N 通道 - 增强模式
符合汽车 AEC Q101 规格
MSL1 高达 260°C 峰值回流焊接
175°C 工作温度
绿色产品（符合 RoHS 标准）
立创商城:
IPD70N10S3-12
安富利:
Trans MOSFET N-CH 100V 70A 3-Pin TO-252 T/R
儒卓力:
**N-CH 100V 70A 11mOhm TO252-3 **
DeviceMart:
MOSFET N-CH 100V 70A TO252-3
极性 N-Channel
耗散功率 125 W
漏源极电压Vds 100 V
连续漏极电流Ids 70A
上升时间 8 ns
输入电容Ciss 3350pF @25VVds
额定功率Max 125 W
下降时间 8 ns
工作温度Max 175 ℃
工作温度Min -55 ℃
耗散功率Max 125 W
安装方式 Surface Mount
引脚数 3
封装 TO-252-3
长度 6.5 mm
宽度 6.22 mm
高度 2.3 mm
封装 TO-252-3
工作温度 -55℃ ~ 175℃
产品生命周期 Active
包装方式 Tape & Reel TR
制造应用 48V DC/DC, HID lighting, 48V inverter
RoHS标准 RoHS Compliant
含铅标准 Lead Free
ECCN代码 EAR99
| 型号/品牌 | 代替类型 | 替代型号对比 |
|---|---|---|
IPD70N10S3-12 Infineon 英飞凌 | 当前型号 | 当前型号 |
IPP70N10S3-12 英飞凌 | 完全替代 | IPD70N10S3-12和IPP70N10S3-12的区别 |
IPD70N10S312ATMA1 英飞凌 | 类似代替 | IPD70N10S3-12和IPD70N10S312ATMA1的区别 |
IPB70N10S3L-12 英飞凌 | 类似代替 | IPD70N10S3-12和IPB70N10S3L-12的区别 |